推晶测试的特点是什么？

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发布时间：2023-02-22
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【概要描述】推晶测试的特点是什么？

推晶测试是在晶片完成之后和质量检查之前测量特定测试结构的电气参数。推晶测试的目的是测试晶片上特定测试结构的电气参数，检测每个晶片产品的工艺条件，评估半导体制造工艺的质量和稳定性，并确定晶片产品是否符合工艺技术平台的电气规范。推晶测试数据可作为交付晶圆产品的质量证明。此外，推晶测试数据还可以反映生产线的实际生产情况。通过收集和分析推晶测试数据，可以监控生产线的情况，还可以判断生产线的变化趋势，并对可能的情况进行警告。集成电路的设计非常复杂，通常使用数百万到数十亿个门。每个逻辑门和其他器件的电气参数要同时符合标准，否则芯片可能无正常工作。一个晶片通常有几十到几万个芯片，因此保持制造过程的均匀性非常重要。不仅需要监控关键的电气和物理财产，使其在整个晶圆范围内达到一定的标准（SPEC）；还要使生产的每一片晶圆都符合该标准。因此，要引入统计过程控制来改进质量控制。

目前，主流的生产系统是8英寸和12英寸[3]工厂。12英寸晶片比8英寸晶片大2.25倍，工艺控制更困难；然而，该工厂在高阶制造工艺中使用大型晶圆，这需要更高的控制要求。由于过程的复杂性，从生产到生产可能需要近千个步骤，需要一到三个月。有必要使用工艺流程来控制工艺每个阶段的质量。

所有测试应在芯片出厂前进行，以确认整个生产过程能够满足上述要求。工厂检查包括测量设备的电气参数（推晶测试）。推晶测试测量包括所用器件的大多数参数，例如电阻器的电阻值、MOS的栅极氧化物电容值和MOSFET的特性。这些电参数可以反映工艺是否正常，掌握工艺对电财产的影响是工艺研发的关键。用于在晶片上收集WAT数据的测试结构称为WAT测试密钥。WAT测试结构不是在实际产品芯片内部设计的，因为该设计占用了芯片内部的额外芯片面积，而额外的芯片面积将增加芯片的成本。芯片代工厂只在晶片上芯片之间的划线中设计WAT测试结构。划线槽的宽度可以从小的60μM到150μM。根据电锯的精度要求，芯片铸造厂制定划线槽宽度设计要求，并努力实现小宽度和小面积。

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推晶测试的特点是什么？

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推晶测试的特点是什么？

推晶测试是在晶片完成之后和质量检查之前测量特定测试结构的电气参数。推晶测试的目的是测试晶片上特定测试结构的电气参数，检测每个晶片产品的工艺条件，评估半导体制造工艺的质量和稳定性，并确定晶片产品是否符合工艺技术平台的电气规范。

推晶测试数据可作为交付晶圆产品的质量证明。此外，推晶测试数据还可以反映生产线的实际生产情况。通过收集和分析推晶测试数据，可以监控生产线的情况，还可以判断生产线的变化趋势，并对可能的情况进行警告。

集成电路的设计非常复杂，通常使用数百万到数十亿个门。每个逻辑门和其他器件的电气参数要同时符合标准，否则芯片可能无正常工作。一个晶片通常有几十到几万个芯片，因此保持制造过程的均匀性非常重要。不仅需要监控关键的电气和物理财产，使其在整个晶圆范围内达到一定的标准（SPEC）；还要使生产的每一片晶圆都符合该标准。因此，要引入统计过程控制来改进质量控制。

目前，主流的生产系统是8英寸和12英寸[3]工厂。12英寸晶片比8英寸晶片大2.25倍，工艺控制更困难；然而，该工厂在高阶制造工艺中使用大型晶圆，这需要更高的控制要求。由于过程的复杂性，从生产到生产可能需要近千个步骤，需要一到三个月。有必要使用工艺流程来控制工艺每个阶段的质量。

所有测试应在芯片出厂前进行，以确认整个生产过程能够满足上述要求。工厂检查包括测量设备的电气参数（推晶测试）。推晶测试测量包括所用器件的大多数参数，例如电阻器的电阻值、MOS的栅极氧化物电容值和MOSFET的特性。这些电参数可以反映工艺是否正常，掌握工艺对电财产的影响是工艺研发的关键。

用于在晶片上收集WAT数据的测试结构称为WAT测试密钥。WAT测试结构不是在实际产品芯片内部设计的，因为该设计占用了芯片内部的额外芯片面积，而额外的芯片面积将增加芯片的成本。芯片代工厂只在晶片上芯片之间的划线中设计WAT测试结构。划线槽的宽度可以从小的60μM到150μM。根据电锯的精度要求，芯片铸造厂制定划线槽宽度设计要求，并努力实现小宽度和小面积。